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PBSS5160DS中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBSS5160DS
廠商型號

PBSS5160DS

功能描述

60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

143.46 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-3 17:46:00

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PBSS5160DS規(guī)格書詳情

General description

PNP/PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4160DS.

Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability: IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ Dual low power switches (e.g. motors, fans)

■ Automotive applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PBSS5160DS

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    Trans GP BJT PNP/PNP 60V 1A,PBSS5160DS

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