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PBSS5160U分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5160U
廠商型號

PBSS5160U

參數(shù)屬性

PBSS5160U 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 0.7A SOT323

功能描述

60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

133.73 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-24 23:00:00

PBSS5160U規(guī)格書詳情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4160U.

Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ High voltage DC-to-DC conversion

■ High voltage MOSFET gate driving

■ High voltage motor control

■ High voltage power switches (e.g. motors, fans)

■ Automotive applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS5160U,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    340mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    185MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-323

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.7A SOT323

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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