PBSS5160V分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PBSS5160V |
| 參數(shù)屬性 | PBSS5160V 封裝/外殼為SOT-563，SOT-666；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 60V 0.9A SOT666 |
| 功能描述 | 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 文件大小 |
267.59 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-24 23:00:00 |
PBSS5160V規(guī)格書詳情
Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High efficiency leading to less heat generation
* Reduces printed-circuit board area required
* Cost effective replacement for medium power transistors BCP52 and BCX52
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PBSS5160V,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
330mV @ 100mA，1A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 500mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
220MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SOT-563，SOT-666
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-666
- 描述：
TRANS PNP 60V 0.9A SOT666
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT6666 |
7350 |
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詢價 | ||
NXP |
20+ |
SOT23 |
43000 |
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詢價 | ||
NXP |
23+ |
SOT23 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
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Nexperia(安世) |
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SOT1118 |
6000 |
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NEXPERIA |
23+ |
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訂貨1周 原裝正品 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT1118 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT666 |
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21+ |
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