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PBSS5350T分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5350T
廠商型號

PBSS5350T

參數(shù)屬性

PBSS5350T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB

功能描述

50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

86.2 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-18 8:30:00

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PBSS5350T規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.

NPN complement: PBSS4350T.

FEATURES

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat

? High collector current capability

? High collector current gain

? Improved efficiency due to reduced heat generation.

APPLICATIONS

? Power management applications

? Low and medium power DC/DC convertors

? Supply line switching

? Battery chargers

? Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS5350THR

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    390mV @ 300mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 3A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
2016+
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