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PCDE20120G1中文資料PANJIT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PCDE20120G1
廠商型號

PCDE20120G1

功能描述

Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

絲印標識

CDE20120G1

封裝外殼

TO-263

文件大小

1.79212 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Pan Jit International Inc.
企業(yè)簡稱

PANJIT

中文名稱

強茂股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 10:30:00

PCDE20120G1規(guī)格書詳情

Features

? Temperature Independent Switching Behavior

? High Surge Current Capability

? Positive Temperature Coefficient on VF

? Low Conduction Loss

? Zero Reverse Recovery

? High junction temperature 175 oC

? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

? Green molding compound as per IEC 61249 standard

Application

? PFC, UPS, PV Inverter, Welder

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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