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PCDE20120G1

Marking：CDE20120G1；Package：TO-263；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features ?TemperatureIndependentSwitchingBehavior ?HighSurgeCurrentCapability ?PositiveTemperatureCoefficientonVF ?LowConductionLoss ?ZeroReverseRecovery ?Highjunctiontemperature175oC ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC612

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更多CDE20120G1供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 13:30:00

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