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PD122N10N3G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PD122N10N3G
廠商型號(hào)

PD122N10N3G

功能描述

OptiMOS?3 Power-Transistor

文件大小

510.59 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 17:46:00

PD122N10N3G規(guī)格書詳情

Features

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance RDS(on)

? 175 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Qualified according to JEDEC1) for target application

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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