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PD122N10N3G

OptiMOS?3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchron

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPD122N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPD122N10N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPD122N10N3G

OptiMOS?3Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchron

InfineonInfineon Technologies AG

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IPD122N10N3G

N-channel,normallevel

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OptiMOSTM3Power-Transistor

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更多PD122N10N3G供應商 更新時間2025-3-1 9:30:00

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