PD20010-E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

原廠料號(hào)：PD20010-E品牌：ST/意法

只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)

PD20010-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝PowerSO/PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）的PD20010-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

• 芯片型號(hào)：

  PD20010-E

• 規(guī)格書(shū)：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

  STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱：

  STMicroelectronics

• 中文名稱：

  意法半導(dǎo)體集團(tuán)

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  13 頁(yè)

• 文件大?。?/span>

  240.84 kb

• 資料說(shuō)明：

  RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs