首頁(yè)>PD20015S-E>規(guī)格書(shū)詳情
PD20015S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
.jpg)
廠商型號(hào) |
PD20015S-E |
參數(shù)屬性 | PD20015S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
功能描述 | RF power transistor, LdmoST family |
封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
文件大小 |
352.27 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-22 11:40:00 |
人工找貨 | PD20015S-E價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PD20015S-E規(guī)格書(shū)詳情
PD20015S-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD20015S-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The PD20015-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD20015-E boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD20015-E’s superior linearity performance makes it an ideal solution for mobile radio applications.
The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly.
Features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 15 W with 11 dB gain @ 2 GHz / 13.6 V
■ Plastic package
■ ESD protection
■ In compliance with the 2002/95/EC European directive
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
PD20015S-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2GHz
- 增益:
11dB
- 額定電流(安培):
7A
- 功率 - 輸出:
15W
- 封裝/外殼:
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
PowerSO-10RF(直引線)
- 描述:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NIKOS |
23+ |
SOP-8P |
16903 |
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢價(jià) | ||
SANREX/三社 |
25+ |
原廠原封可拆樣 |
64586 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 |
詢價(jià) | ||
原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
專營(yíng)模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NIEC |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
NIEC
|
100 |
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠 |
詢價(jià) | ||||
日本株式會(huì)英達(dá)廠家二極管模塊 |
23+ |
NA |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
NIEC |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
原廠原封 |
23480 |
詢價(jià) | |||
模塊 |
1950+ |
980 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | |||
SanRex |
模塊 |
1520 |
全新原裝正品 數(shù)量多可訂貨 一級(jí)代理優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) |