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PD54003S-E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
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原廠料號:PD54003S-E品牌:ST
原裝進(jìn)口正口,支持樣品
PD54003S-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝NA/PowerSO-10 裸露底部焊盤的PD54003S-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
PD54003S-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
500MHz
- 增益:
12dB
- 額定電流(安培):
4A
- 功率 - 輸出:
3W
- 封裝/外殼:
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
PowerSO-10RF(直引線)
- 描述:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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