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PD54008L-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD54008L-E
廠商型號(hào)

PD54008L-E

參數(shù)屬性

PD54008L-E 封裝/外殼為8-PowerVDFN;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT

功能描述

RF power transistors The LdmoST Plastic family
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT

封裝外殼

8-PowerVDFN

文件大小

215.06 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-28 10:16:00

PD54008L-E規(guī)格書詳情

PD54008L-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD54008L-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PD54008L-E is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral FieldEffect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD54008L-E boasts the excellent gain, linearity and reliability of STH1LV latest LDMOS technology mounted in the innovative leadless SMD plastic package, PowerFLAT?.

Features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration

■ Broadband performances POUT = 8W with 15 dB gain @ 500MHz

■ New leadless plastic package

■ EDS protection

■ Supplied in tape & reel of 3K units

■ In compliance with the 2002/93/EC european directive

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PD54008L-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    500MHz

  • 增益:

    15dB

  • 額定電流(安培):

    5A

  • 功率 - 輸出:

    8W

  • 封裝/外殼:

    8-PowerVDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PowerFLAT?(5x5)

  • 描述:

    TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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