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PD57002S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PD57002S-E
廠商型號(hào)

PD57002S-E
參數(shù)屬性

PD57002S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10
功能描述

RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10
封裝外殼

PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)
文件大小

374.07 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

23 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-30 19:45:00
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PD57002S-E規(guī)格書(shū)詳情

PD57002S-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD57002S-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PD57002S-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    960MHz

  • 增益：

    15dB

  • 額定電流（安培）：

    250mA

  • 功率 - 輸出：

    2W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PowerSO-10RF（直引線）

  • 描述：

    FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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