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PD85035STR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD85035STR-E |
| 參數(shù)屬性 | PD85035STR-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線） |
| 文件大小 |
384.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-9 8:30:00 |
PD85035STR-E規(guī)格書詳情
PD85035STR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD85035STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD85035STR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
870MHz
- 增益：
17dB
- 額定電流（安培）：
8A
- 功率 - 輸出：
15W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | |||
STMicroelectronics |
2022+ |
PowerSO-10RF(直引線) |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
6000 |
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤 |
詢價 | |||
STMicroelectronics |
24+ |
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
ST |
PowerSO-10 |
93480 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
PowerSO10RF (Formed Lead) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
原廠原封 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
6500 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
詢價 |
