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PDTA113EMB

PNPresistor-equippedtransistor;R1=1k廓,R2=1k廓

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTA113ES

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA113ES

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTA113ET

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA113ET

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTA113EU

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA113EU

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTA113Z

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA113Z

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTA113Z_SER

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PDTA113EM T/R

  • 功能描述：

    開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEXPERIA
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更多PDTA113EM T/R供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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