PDTA113ET中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
廠商型號(hào) |
PDTA113ET |
參數(shù)屬性 | PDTA113ET 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB |
功能描述 | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW |
文件大小 |
121.12 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-10-26 10:21:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
PDTA113ET,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 40mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
150mV @ 1.5mA,30mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1μA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
2017+ |
SOT23 |
6528 |
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詢價(jià) | ||
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT23(TO236) |
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NXP |
22+ |
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NXP/恩智浦 |
1535+ |
33000 |
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NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-457 |
8800 |
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NXP/恩智浦 |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
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23+ |
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NXP/恩智浦 |
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QFN48 |
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