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PDTB123ES分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PDTB123ES
廠商型號(hào)

PDTB123ES

參數(shù)屬性

PDTB123ES 封裝/外殼為T(mén)O-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

功能描述

PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

文件大小

138.17 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-20 16:38:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PDTB123ES,126

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
PHI
23+
SOT23-3
4500
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售!
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NEXPERIA/安世
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SOT23
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鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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NXP/恩智浦
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TO-236
20000
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
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NEXPERIA/安世
24+
SOT23
860000
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TO-236
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