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PDTB123YT-Q

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD123YT-Q. 2.Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Reducespickandplacecosts ?Built-inbiasresistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTB123YU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTB123YU

500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTB123YU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTC123

NPNresistor-equippedtransistor

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampl

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTC123E

NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=2.2k-ohm

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTC123E

NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓

DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTC123E

NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTC123E_SERIES

NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTC123EE

NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=2.2k-ohm

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PDTB123YT T/R

  • 功能描述：

    開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEXPERIA
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全新原裝現(xiàn)貨
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NEXPERIA/安世
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SOT-323
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多PDTB123YT T/R供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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