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PDTC143TMB	文件：722.65 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00111011；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = open Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA143TMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC143TMB_15	文件：587.94 Kbytes Page：11 Pages	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = open	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC143TMB,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PDTC143TS	文件：180.93 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7k廓,R2=open DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTC143TS	文件：92.31 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7kOHM,R2=open DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC143TS	文件：402.61 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7kΩ,R2=open FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitapplications.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC143TS	文件：385.86 Kbytes Page：15 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=4.7kΩ,R2=open FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC143TS	文件：402.59 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistorsR1=4.7kΩ,R2=open FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitapplications. DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“S	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC143TT	文件：46.15 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC143TT	文件：92.31 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=4.7kOHM,R2=open DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

詳細(xì)參數(shù)

型號：
PDTC143TMB
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANS NPN W/RES 50V SOT883B
功能描述：
TRANS, NPN W/RES, 50V, SOT883B
功能描述：
TRANS, NPN W/RES, 50V, SOT883B; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
50V; Transition Frequency Typ
ft：
230MHz; Power Dissipation
Pd：
250mW; DC Collector
Current：
100mA; DC Current Gain
hFE：
200; Operating ;RoHS
Compliant：
Yes

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