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PDTD113EQA_SER

50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTD113ES

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTD113ES

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k廓,R2=1k廓

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTD113ES

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTD113ET

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTD113ET

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTD113ET

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k廓,R2=1k廓

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTD113ET

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTD113EU

500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTD113EU

500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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NEXPERIA/安世
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更多PDTD113EQA_SER供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-29 11:06:00

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