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PESD3V3S2UT/ZLR

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：散裝 類別：電路保護 TVS - 二極管 描述：TVS DIODE 3.3VWM 20VC TO236AB

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PESD3V3S2UAT

DoubleESDprotectiondiodeinSOT23package

1.Generaldescription UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodeincommoncathodeconfigurationinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectuptotwodatalinesagainst damagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. 2.Featuresandbene

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD3V3S2UAT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

FEATURES ·UnidirectionalESDprotectionofuptotwolines ·Common-cathodeconfiguration ·Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20ms ·Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A ·Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM30kV ·IEC61000-4-2;lev

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD3V3S2UAT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES ?UnidirectionalESDprotectionofupt

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PESD3V3S2UAT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES ?UnidirectionalESDprotectionofupt

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD3V3S2UAT-Q

DoubleESDprotectiondiodeinSOT23package

1.Generaldescription UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodeincommoncathodeconfigurationinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectuptotwodatalinesagainst damagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. 2.Featuresandbene

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD3V3S2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PESD3V3S2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectuptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. Features ■UnidirectionalE

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PESD3V3S2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD3V3S2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

1.1Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultra smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotect uptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Appl

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD3V3S2UT

350Wpeakpulsepower(tp=8/20μs)

Features 350Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Bidirectionalandunidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)20A(8/20μs） Applic

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

PESD3V3S2UT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

FEATURES ?Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines ?Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20μs ?Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A ?Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM23kV ?IEC61000-4-2;level4(ESD) ?IEC61000-4-5(su

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PESD3V3S2UT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD3V3S2UT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

DESCRIPTION Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodesinaSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. FEATURES ?Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines ?Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/2

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PESD3V3S2UT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

DESCRIPTION Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodesinaSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. FEATURES ?Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines ?Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/2

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD3V3S2UT-Q

DoubleESDprotectiondiode

1.Generaldescription Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodeinaSOT23plasticpackage.Designedtoprotectupto twotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. 2.Featuresandbenefits ?Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines ?Max.peakpulsep

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PESD3V3S2UT/ZLR

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    電路保護 > TVS - 二極管

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    齊納

  • 電壓 - 反向斷態(tài)（典型值）：

    3.3V（最大）

  • 電壓 - 擊穿（最小值）：

    5.2V

  • 不同 Ipp 時電壓 - 箝位（最大值）：

    20V

  • 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs)：

    18A（8/20μs）

  • 功率 - 峰值脈沖：

    330W

  • 電源線路保護：

    無

  • 應用：

    通用

  • 不同頻率時電容：

    207pF @ 1MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-236AB

  • 描述：

    TVS DIODE 3.3VWM 20VC TO236AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP
24+
12000
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NXP
23+
原包裝原封□□
687330
原裝進口特價供應QQ1304306553更多詳細咨詢庫存
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有掛有貨 原裝正品假一賠十
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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更多PESD3V3S2UT/ZLR供應商 更新時間2025-1-18 10:02:00

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