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PESD3V3T1BLD電路保護的TVS-二極管規(guī)格書PDF中文資料

PESD3V3T1BLD
廠商型號

PESD3V3T1BLD

參數(shù)屬性

PESD3V3T1BLD 封裝/外殼為2-XDFN;包裝為卷帶(TR);類別為電路保護的TVS-二極管;PESD3V3T1BLD應用范圍:通用;產(chǎn)品描述:TVS DIODE 3.3VWM 11VC DFN1006D-2

功能描述

Bidirectional ESD protection diode

絲印標識

0110

封裝外殼

SOD882D / 2-XDFN

文件大小

264.73 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 20:00:00

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PESD3V3T1BLD規(guī)格書詳情

1. General description

Bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode designed to protect one signal line

from the damage caused by ESD and other transients.

The device is housed in a SOD882D leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package with side-wettable flanks.

2. Features and benefits

? Bidirectional ESD protection of one line

? Ultra small SMD plastic package 1 x 0.6 x 0.37 mm

? Side-wettable flanks

? ESD protection up to 30 kV

? Very high surge robustness; IPP = 12 A for 8/20 μs; average measured

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? ESD and surge protection for interface lines

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PESD3V3T1BLDYL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    電路保護 > TVS - 二極管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 類型:

    齊納

  • 電壓 - 反向斷態(tài)(典型值):

    3.3V(最大)

  • 電壓 - 擊穿(最小值):

    4.7V

  • 不同 Ipp 時電壓 - 箝位(最大值):

    11V

  • 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs):

    10A(8/20μs)

  • 電源線路保護:

  • 應用:

    通用

  • 不同頻率時電容:

    20pF @ 1MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    2-XDFN

  • 供應商器件封裝:

    DFN1006D-2

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 11VC DFN1006D-2

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