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PKG170AB	文件：253.3 Kbytes Page：2 Pages	Glass passiated junction	SPSEMIStarHope 瞬雷電子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
PKG170CB	文件：253.3 Kbytes Page：2 Pages	Glasspassiatedjunction	SPSEMIStarHope 瞬雷電子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
PKM170AB	文件：257.29 Kbytes Page：2 Pages	Glasspassiatedjunction	SPSEMIStarHope 瞬雷電子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
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PKN170AB	文件：255.37 Kbytes Page：2 Pages	Glasspassiatedjunction	SPSEMIStarHope 瞬雷電子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
PKN170CB	文件：255.37 Kbytes Page：2 Pages	Glasspassiatedjunction	SPSEMIStarHope 瞬雷電子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
PLA170	文件：625.88 Kbytes Page：5 Pages	SinglePoleOptoMOSRelay Description ThePLA170isa1-Form-ASolidStateRelaywhichusesopticallycoupledMOSFETtechnologytoprovideenhancedinput-to-outputisolationof3750Vrms.TheefficientMOSFETswitchesandphotovoltaicdieuseClare’spatentedOptoMOS?architecture. Features ?100SolidState ?Small6	Clare Clare, Inc.	Clare
PLA170	文件：122.93 Kbytes Page：7 Pages	Single-Pole,NormallyOpenOptoMOSRelay Description PLA170isasingle-pole,normallyopen(1-Form-A)SolidStateRelaythatusesopticallycoupledMOSFETtechnologytoprovideanenhancedinput-to-outputisolationof3750Vrms. Itsopticallycoupledoutputs,whichusethepatentedOptoMOSarchitecture,arecontrolledbyahighlyeffic	IXYS IXYS Corporation	IXYS
PLA170S	文件：625.88 Kbytes Page：5 Pages	SinglePoleOptoMOSRelay Description ThePLA170isa1-Form-ASolidStateRelaywhichusesopticallycoupledMOSFETtechnologytoprovideenhancedinput-to-outputisolationof3750Vrms.TheefficientMOSFETswitchesandphotovoltaicdieuseClare’spatentedOptoMOS?architecture. Features ?100SolidState ?Small6	Clare Clare, Inc.	Clare
PLA170S	文件：122.93 Kbytes Page：7 Pages	Single-Pole,NormallyOpenOptoMOSRelay Description PLA170isasingle-pole,normallyopen(1-Form-A)SolidStateRelaythatusesopticallycoupledMOSFETtechnologytoprovideanenhancedinput-to-outputisolationof3750Vrms. Itsopticallycoupledoutputs,whichusethepatentedOptoMOSarchitecture,arecontrolledbyahighlyeffic	IXYS IXYS Corporation	IXYS
PLA170STR	文件：625.88 Kbytes Page：5 Pages	SinglePoleOptoMOSRelay Description ThePLA170isa1-Form-ASolidStateRelaywhichusesopticallycoupledMOSFETtechnologytoprovideenhancedinput-to-outputisolationof3750Vrms.TheefficientMOSFETswitchesandphotovoltaicdieuseClare’spatentedOptoMOS?architecture. Features ?100SolidState ?Small6	Clare Clare, Inc.	Clare
PLA170STR	文件：122.93 Kbytes Page：7 Pages	Single-Pole,NormallyOpenOptoMOSRelay Description PLA170isasingle-pole,normallyopen(1-Form-A)SolidStateRelaythatusesopticallycoupledMOSFETtechnologytoprovideanenhancedinput-to-outputisolationof3750Vrms. Itsopticallycoupledoutputs,whichusethepatentedOptoMOSarchitecture,arecontrolledbyahighlyeffic	IXYS IXYS Corporation	IXYS
PMBF170	文件：56.11 Kbytes Page：8 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT23envelope.DesignedforuseasaSurfaceMountedDevice(SMD)inthinandthick-filmcircuitswithapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-s	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PMBF170	文件：379.48 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: PMBF170inSOT23. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applica	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PMF170A	文件：752.937 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
PMF170A	文件：397.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSTAND-OFFVOLTAGE-5.0TO190Volts	SPSEMIStarHope 瞬雷電子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
PMF170A	文件：996.76 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE Features Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage clampingcapability cycle):0.01 Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds,atterminals 200Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μ Lowincrementalsurgeresistance,excellent s wavefrom,repetitionrate	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
PMF170CA	文件：752.937 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
PMF170CA	文件：397.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSTAND-OFFVOLTAGE-5.0TO190Volts	SPSEMIStarHope 瞬雷電子上海瞬雷科技有限公司	SPSEMI
PMF170CA	文件：996.76 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE Features Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage clampingcapability cycle):0.01 Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds,atterminals 200Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μ Lowincrementalsurgeresistance,excellent s wavefrom,repetitionrate	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE

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更多PKG170AB供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 16:15:00

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