PMBFJ112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PMBFJ112 |
| 參數(shù)屬性 | PMBFJ112 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 |
| 功能描述 | RF Manual 16th edition |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
9.37507 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
130 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-9 9:30:00 |
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PMBFJ112規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PMBFJ112,215
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝：
散裝
- FET 類型：
N 通道
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：
6pF @ 10V（VGS）
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23（TO-236AB）
- 描述：
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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