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PMDXB950UPE	文件：262.47 Kbytes Page：15 Pages	20 V, dual P-channel Trench MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PMDXB950UPE_15	文件：254.33 Kbytes Page：15 Pages	20 V, dual P-channel Trench MOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PMDXB950UPEL	文件：739.16 Kbytes Page：16 Pages	Marking：B111；Package：DFN1010B-6；20 V, dual P-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMH950UPE	文件：275.94 Kbytes Page：14 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETte	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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RPS-950	文件：237.02 Kbytes Page：15 Pages	Cloud-ManagedSwitchingMadeEasy SwitchFeatues ?12-port,24-port,and48-portmodelswithGigabitandmulti-GigabitEthernetaccessportoptions ?4x1/10Gbuplink/stackingportsonall4220models ?4x1/10/25Gbuplinkportsplus2x100Gbuplink/stackingportson4120models ?30W,60W,90WPoEoptionsforpoweredconne	EXTREMENETWORKS Extreme Networks.	EXTREMENETWORKS

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