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3.0SMC10

Marking：10；Package：DO-214AB；Surface Mount Transient Voltage Suppressor Power 3000Watts

FEATURES Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboard space. Lowprofilepackage. Glasspassivatedjunction. Lowinductance. 3000Wpeakpulsepowercapabilityat10x1000uswaveform, repetitionrate(dutycycles):0.01 PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability.

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

BA178M10CP

Marking：10；Package：178M10CP；Three-Terminal Regulator

STRUTURE:SiliconMonolithicIntergratedCircuit TYPE:Three-TerminalRegulator FEATURES:Outputcurrentupto0.5A

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

LZ52C10W

Marking：10；Package：1206；SURFACE MOUNT ZENER DIODE

FEATURES ?Forsurfacemountedapplication ?Siliconepitaxialplanardiode ?Ultrasmallsurfacemountpackage ?Lowleakagecurrent ?2tolerancedeviceofVz ?Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)

DIODES

Diodes Incorporated

PDTA143TEF

Marking：10；Package：SC-89；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTD114ET

Marking：10；Package：TO-236AB；500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■Built-inbiasresistors ■Simplifiescircuitdesign ■Reducescomponentcount ■±10resistorratiotole

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PEMH10

Marking：10；Package：SOT666；NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k?, R2 = 47k?

1.1Generaldescription NPN/NPNResistor-EquippedTransistors(RET)inSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackages. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications ?Lowcurrentperipheraldriver ?ControlofICinputs ?Replacesgeneral-purposetransistorsindigitalapplications Table1.Pr

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMCXB900UE

Marking：10；Package：SOT1216；20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription ComplementaryN/P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessultrasmallDFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Verylowthreshold

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMDXB950UPE

Marking：10；Package：SOT1216；20 V, dual P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription DualP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Leadlessultrasmallandultr

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMXB120EPE

Marking：10；Package：SOT1215；30 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Leadlessultrasmallandultrathi

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMXB40UNE

Marking：10；Package：SOT1215；12 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?LeadlessultrasmallandthinSMD

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

替換型號(hào)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    1000

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    90W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-44

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    90

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    10

  • 制造商：

    CONTITECH POWER TRANSMISSIONS

  • 功能描述：

    SYNC TMG BELT 10/T5/1380

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-17 10:30:00

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