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PMPB10UP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMPB10UP
廠商型號(hào)

PMPB10UP

功能描述

12 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

6G

封裝外殼

SOT1220

文件大小

321.3 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-9 23:00:00

PMPB10UP規(guī)格書詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Trench MOSFET technology

? Side wettable flanks for optical solder inspection

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

3. Applications

? Charging switch for portable devices

? DC-to-DC converters

? Power management in battery-driven portable devices

? Hard disk and computing power management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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