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PMPB10UP

Marking:6G;Package:SOT1220;12 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Sidewe

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
NEXPERIA/安世
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2022
DFN2020MD-6
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Nexperia(安世)
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NEXPERIA/安世
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更多PMPB10UP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-4 10:34:00