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PMPB19R0UPE

20 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Small

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安世安世半導體(中國)有限公司

BAV19R0

HighVoltageSwitchingDiode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

BAV19R0G

HighVoltageSwitchingDiode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

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6DFN
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更多PMPB19R0UPE供應商 更新時間2024-11-16 8:30:00

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