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PMPB19R0UPE

Marking：ZR；Package：SOT1220-2；20 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Small

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BAV19R0

HighVoltageSwitchingDiode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

BAV19R0G

HighVoltageSwitchingDiode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEXPERIA/安世
23+
DFN2020M-6
360000
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NEXPERIA
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DFN2020MD-6
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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NEXPERIA/安世
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公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
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SOT1220
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只做原裝 可免費(fèi)提供樣品
 詢價(jià)
更多PMPB19R0UPE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 10:34:00

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