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PMPB29XNEA

Marking:4H;Package:SOT1220;30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Sidewe

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMPB29XNEAX

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè) 描述:PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220

Nexperia USA Inc.

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更多PMPB29XNEA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 14:00:00