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PMPB29XPEA

20 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Sidewe

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安世安世半導體(中國)有限公司

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SOT1220
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更多PMPB29XPEA供應商 更新時間2024-11-15 14:00:00

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