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PMPB29XPEA中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMPB29XPEA
廠商型號(hào)

PMPB29XPEA

功能描述

20 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

4L

封裝外殼

SOT1220

文件大小

283.67 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 13:02:00

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PMPB29XPEA規(guī)格書詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Trench MOSFET technology

? Side wettable flanks for optical solder inspection

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Nexperia USA Inc.
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DFN2020MD-6
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