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PMPB23XNEA

Marking：4T；Package：SOT1220；20 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Sidewe

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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更多PMPB23XNEA供應(yīng)商 更新時間2025-2-26 10:00:00

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