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PMPB12R5EP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMPB12R5EP
廠商型號(hào)

PMPB12R5EP

功能描述

30 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

ZN

封裝外殼

SOT1220-2

文件大小

316.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-19 23:00:00

PMPB12R5EP規(guī)格書詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Logic-level compatible

? Trench MOSFET technology

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

3. Applications

? Charging switch for portable devices

? DC-to-DC converters

? Power management in battery-driven portable devices

? Computing power management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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DFN2020M6
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