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PMPB16R5XNE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMPB16R5XNE
廠商型號

PMPB16R5XNE

功能描述

30 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

ZP

封裝外殼

SOT1220-2

文件大小

318.54 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 20:42:00

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PMPB16R5XNE規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 800 V HBM (class H1B)

3. Applications

? Battery management

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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