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PMPB16R5XNE

Marking：ZP；Package：SOT1220-2；30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSF

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

HC16R5

14PINDIPHCMOS

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Connor-Winfield

Connor-Winfield Corporation

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更多PMPB16R5XNE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-25 10:34:00

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