PMXB350UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	PMXB350UPE
功能描述	20 V, P-channel Trench MOSFET
絲印標(biāo)識(shí)	11
封裝外殼	SOT1215
文件大小	727.27 Kbytes
頁面數(shù)量	15 頁
生產(chǎn)廠商	Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱	NEXPERIA【安世】
中文名稱	安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-9 17:32:00

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Trench MOSFET technology

? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV HBM

? Drain-source on-state resistance RDSon = 350 mΩ

3. Applications

? High-side load switch and charging switch for portable devices

? Power management in battery driven portables

? LED driver

? DC-to-DC converter

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市正納電子有限公司	PMXB360ENEA	NXP(恩智浦)	23+	NA	20094	正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持	詢價(jià)
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