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PR6002G

6.0A GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY DIODE

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

PR6002-T

6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER

DIODES

Diodes Incorporated

PR6002-T

6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER

Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL

DIODES

Diodes Incorporated

PSEK6002

FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)

POWERSEM

Powersem GmbH,

PTC6002

NPNDarlingtonTransistors

NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

R6002END

Nch600V2APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R6002END

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

R6002ENH

Nch600V2APowerMOSFET

lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RJK6002DJE

600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6002DPD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

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更多PR6002G供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 17:00:00