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MRF7S35120HS

RFPowerFieldEffectTransistor

Designedforpulsedwidebandapplicationsoperatingatfrequenciesbetween3100and3500MHz. ?TypicalPulsedPerformance:VDD=32Volts,IDQ=150mA, Pout=120WattsPeak(24WattsAvg.),PulsedSignal,f=3500MHz, PulseWidth=100μsec,DutyCycle=20 PowerGain?12dB DrainEffi

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PRF7S35120H供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 15:30:00

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