供應(yīng)存儲(chǔ)器S29GL256P10TFI010

原廠料號(hào)：S29GL256P10TFI010品牌：賽普拉斯

存儲(chǔ)器S29GL256P10TFI010 系列由1 Gb、512 Mb、256 Mb和128mb組成，僅限3.0伏的頁(yè)面模式Flash設(shè)備，為當(dāng)今嵌入式設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化，嵌入式設(shè)計(jì)需要較大的存儲(chǔ)陣列和豐富的功能。存儲(chǔ)器S29GL256P10TFI010 這些設(shè)備是使用90納米鏡面技術(shù)制造的。存儲(chǔ)器S29GL256P10TFI010 這些產(chǎn)品提供統(tǒng)一的64 Kword (128 Kbyte)統(tǒng)一扇區(qū)，并具有萬(wàn)能控制功能，允許控制和I/O信號(hào)從1.65 V運(yùn)行到VCC。Additional 特性 include: Single 字 編程 或 32-word 編程 緩沖 增加 編程 速度 Program Suspend/Resume 和 Erase Suspend/Resume Advanced Sector Protection 方法 保護(hù) 部門 要求 128 年 words/256 字節(jié) 的 Secured Silicon 區(qū)域 來(lái) 存儲(chǔ) 客戶 和 工廠 的 安全 信息安全的硅段是一次性可編程的。

存儲(chǔ)器S29GL256P10TFI010 字節(jié)#引腳控制設(shè)備數(shù)據(jù)I/O引腳是否在字節(jié)或字配置中操作。如果將字節(jié)#引腳設(shè)置為邏輯“1”，則設(shè)備處于word配置中，DQ0-DQ15是活動(dòng)的，并由CE#和OE#控制。如果將字節(jié)#引腳設(shè)置為邏輯“0”，則設(shè)備處于字節(jié)配置中，只有數(shù)據(jù)I/O引腳DQ0-DQ7是活動(dòng)的，并由CE#和OE#控制。數(shù)據(jù)I/O引腳DQ8-DQ14是三態(tài)的，DQ15引腳用作LSB (A-1)地址函數(shù)的輸入。

leiotm (VIO)控制允許主機(jī)系統(tǒng)設(shè)置設(shè)備對(duì)所有輸入和輸出(地址、控制和DQ信號(hào))產(chǎn)生和容忍的電壓水平。VIO的范圍是1.65到VCC。有關(guān)此設(shè)備上的VIO選項(xiàng)，請(qǐng)參閱第4頁(yè)中的訂購(gòu)信息。例如，VIO的電壓為1.65-3.6伏，允許在1.8或3伏級(jí)別上進(jìn)行I/O操作，驅(qū)動(dòng)和接收來(lái)自同一數(shù)據(jù)總線上的其他1.8或3伏設(shè)備的信號(hào)。

7.4讀取所有內(nèi)存需要訪問(wèn)時(shí)間才能輸出陣列數(shù)據(jù)。在讀取操作中，每次從一個(gè)內(nèi)存位置讀取數(shù)據(jù)。地址以隨機(jī)順序呈現(xiàn)給設(shè)備，通過(guò)設(shè)備的傳播延遲導(dǎo)致其輸出的數(shù)據(jù)與輸入的地址一起到達(dá)。設(shè)備默認(rèn)在設(shè)備啟動(dòng)或硬件重置后讀取陣列數(shù)據(jù)。要從內(nèi)存數(shù)組中讀取數(shù)據(jù)，系統(tǒng)必須首先在Amax-A0上斷言一個(gè)有效地址，同時(shí)將OE#和CE#驅(qū)動(dòng)到VIL。我們必須留在VIH。所有地址都鎖定在ce#的下端。在地址訪問(wèn)時(shí)間(tACC)之后，數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在DQ15-DQ0上，等于從穩(wěn)定地址到有效輸出數(shù)據(jù)的延遲。OE#信號(hào)必須驅(qū)動(dòng)到VIL。假設(shè)tACC訪問(wèn)時(shí)間已滿足，則在訪問(wèn)時(shí)間(tOE)從OE#的下降沿經(jīng)過(guò)后，在DQ15-DQ0引腳上輸出數(shù)據(jù)

• 芯片型號(hào)：

  S29GL256P10TFI010

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

  SPANSION【飛索】詳情

• 廠商全稱：

  SPANSION

• 中文名稱：

  飛索半導(dǎo)體

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  77 頁(yè)

• 文件大?。?/span>

  2735.51 kb

• 資料說(shuō)明：

  3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology