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PSMN1R1-80CSF中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PSMN1R1-80CSF
廠商型號(hào)

PSMN1R1-80CSF

功能描述

NextPower 80 V, 1.16 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package

絲印標(biāo)識(shí)

XP1F1S80C

封裝外殼

CCPAK1212i

文件大小

375.42 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-17 15:25:00

PSMN1R1-80CSF規(guī)格書詳情

1. General description

NextPower 80 V, standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for

high power industrial and consumer applications.

2. Features and benefits

? Low Qrr for higher efficiency and lower spiking

? 385 Amps ID(max) continuous current rating

? Low QG × RDSon FOM for high efficiency switching applications

? Strong avalanche energy rating (Eas)

? Avalanche rated and 100% tested

? Ha-free and RoHS compliant CCPAK1212i package

? Inverted package, suitable for top-side cooling

3. Applications

? Battery protection

? High power full and half-bridge configurations

? BLDC motor control

? OR-ing

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP
09+PBF
SOP669
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