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PSMN1R5-25MLH

Marking:1H525L;Package:SOT1210;N-channel 25 V, 1.81 mΩ, 150 A logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 technology

1.Generaldescription LogiclevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETinLFPAK33package. NextPowerS3technologydeliverslowRDSon,lowIDSSleakageandhighefficiency.Ratedto150A andoptimizedwithlowgateresistance(RG)forfast-switchingapplications. 2.Featuresandbenef

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安世安世半導體(中國)有限公司

PSMN1R5-25YL

N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein industrialandcommunicationsapplications. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswi

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PSMN1R5-25YL

N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

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更多PSMN1R5-25MLH供應商 更新時間2025-1-19 15:00:00