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PSMN1R5-25YL中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PSMN1R5-25YL
廠商型號(hào)

PSMN1R5-25YL

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

711.45 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-19 23:00:00

PSMN1R5-25YL規(guī)格書詳情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

industrial and communications applications.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

and conduction losses

Suitable for logic level gate drive

sources

1.3 Applications

Class-D amplifiers

DC-to-DC converters

Motor control

Server power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PSMN1R5-25YL

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET N CH 25V 100A SOT669

  • 功能描述:

    MOSFET, N CH, 25V, 100A, SOT669

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP/恩智浦
23+
NA/
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NXP/恩智浦
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SOT-669
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Nexperia(安世)
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