亚洲欧美另类在线一区,国产精品二区三区免费播放心 ,无敌神马影院手机版在线观看视频

首頁(yè) >PT6426E>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
PT6426E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：14-SMD 模塊類別：電源 - 板安裝直流轉(zhuǎn)換器描述：DC DC CONVERTER 1.8V 5W	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
AD6426	文件：506.45 Kbytes Page：50 Pages	EnhancedGSMProcessor GENERALDESCRIPTION TheAD6426EnhancedGSMProcessor(EGSMP)isthecentralcomponentofthehighlyintegratedAD20msp425GSMChipset.Offeringalowtotalchipcount,lowbillofmaterialscostandlongtalkandstandbytimes,thechipsetoffersdesignersastraightforwardroutetoahighlyco	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD6426XB	文件：506.45 Kbytes Page：50 Pages	EnhancedGSMProcessor GENERALDESCRIPTION TheAD6426EnhancedGSMProcessor(EGSMP)isthecentralcomponentofthehighlyintegratedAD20msp425GSMChipset.Offeringalowtotalchipcount,lowbillofmaterialscostandlongtalkandstandbytimes,thechipsetoffersdesignersastraightforwardroutetoahighlyco	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD6426XST	文件：506.45 Kbytes Page：50 Pages	EnhancedGSMProcessor GENERALDESCRIPTION TheAD6426EnhancedGSMProcessor(EGSMP)isthecentralcomponentofthehighlyintegratedAD20msp425GSMChipset.Offeringalowtotalchipcount,lowbillofmaterialscostandlongtalkandstandbytimes,thechipsetoffersdesignersastraightforwardroutetoahighlyco	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AN6426NK	文件：127.84 Kbytes Page：9 Pages	Hands-freeSpeechNetworkIC ■Features ?Incorporatesallthefunctionsrequiredofahands-free telephone. ?Incorporatesallthefunctionsrequiredofahandset. ?ComplieswithACandDCimpedancerequirements. ?Providesawidedynamicrange. ?Anoisedetectingcircuitpreventsinadvertenttransmission. ?Operati	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AON6426	文件：112.42 Kbytes Page：1 Pages	DFN5X6PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AON6426L	文件：139.05 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON6426LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. -RoHSCompliant -HalogenFree Features VDS(V)=30V ID=24A(VGS=	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AON6426L	文件：112.42 Kbytes Page：1 Pages	DFN5X6PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
CEA6426	文件：620.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4.6A,RDS(ON)=90mW@VGS=10V. RDS(ON)=110mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-89package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEA6426	文件：1.77573 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel0-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET APPLICATIONS ?LoadSwitchesforPortableDevices	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEA6426	文件：417.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,3A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-89package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB6426	文件：407.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED6426	文件：351.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,16A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED6426	文件：451.96 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS( Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6426	文件：600.94 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4.7A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6426	文件：415.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4.7A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP6426	文件：407.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CET6426	文件：409.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4.5A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU6426	文件：451.96 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS( Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6426	文件：351.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,16A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

12 3 >>>

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
PT6426E
制造商：
Texas Instruments
類別：
電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器
系列：
PT6420
包裝：
托盤
類型：
非隔離 PoL 模塊
電壓 - 輸入（最小值）：
4.5V
電壓 - 輸入（最大值）：
5.5V
電壓 - 輸出 1：
1.8V
電流 - 輸出（最大值）：
3A
應(yīng)用：
ITE（商業(yè)）
工作溫度：
0°C ~ 85°C
效率：
74%
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
14-SMD 模塊
大小 / 尺寸：
2.06" 長(zhǎng) x 0.67" 寬 x 0.38" 高（52.3mm x 17.0mm x 9.7mm）
描述：
DC DC CONVERTER 1.8V 5W

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市興燦科技有限公司	PT6426E	TI	24+	原廠封裝	2881	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	PT6426E	TI	24+	14-SMD 模塊	20000	絕對(duì)原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
芯權(quán)科技（深圳）有限公司	PT6426E	TI/德州儀器	23+	14-SMD 模塊	8355	只做原裝現(xiàn)貨/實(shí)單可談/支持含稅拆樣	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	PT6429D	POWERTRENDS	2023+		80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市吉銀科技有限公司	PT6429D	PWR	1535+		2134		詢價(jià)
深圳市熠燦電子科技有限公司	PT6429D	PWR	23+		2134	全新原裝，歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	PT6429P	POWERTRENDS	24+	SIP	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	PT6429P	POWERTRENDS	1844+	SIP	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	PT6429P	POWERTRENDS	23+	SIP	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	PT6429P	POWERTRENDS	2022	SIP	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)

更多PT6426E供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 15:19:00

產(chǎn)品屬性

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫(kù)存