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13N65A	文件：685.58 Kbytes Page：5 Pages	13A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
13N65B	文件：835.88 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,14A,0.46(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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CED13N65S	文件：504.6 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,12.3A,RDS(ON)=0.32W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF13N65S	文件：717.4 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP13N65S	文件：717.4 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU13N65S	文件：504.6 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,12.3A,RDS(ON)=0.32W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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DTQ13N65GS	文件：2.65178 Mbytes Page：17 Pages	SUPERIORIORGaNDTQ13N65GS–90mΩ,650VGaNHEMT 1.0Features ?650V,90mΩenhancementmodepowerHEMT ?AdapttovariousPWMcontrollers ?Zeroreverserecovery ?Adjustableturn-onslewrate ?Highswitchingfrequency(>2MHz) ?Reverseconductioncapable ?EnhancedthermalperformancewithNCcenterpad ?Simpleandlowcostinterfacec	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
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HFP13N65U	文件：200.36 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
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IXFH13N65	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM13N65	文件：316.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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更多PTA13N65供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 11:00:00

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