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PTAB182002TC分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
PTAB182002TC |
參數(shù)屬性 | PTAB182002TC 封裝/外殼為H-37248-4;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET |
封裝外殼 | H-37248-4 |
文件大小 |
179.4 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-12 9:10:00 |
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PTAB182002TC規(guī)格書詳情
PTAB182002TC屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTAB182002TC晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
PTAB182002TCV2R250XUMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS(雙),共源
- 頻率:
1.805GHz ~ 1.88GHz
- 增益:
14.8dB
- 額定電流(安培):
10μA
- 功率 - 輸出:
180W
- 封裝/外殼:
H-37248-4
- 供應(yīng)商器件封裝:
H-37248-4
- 描述:
IC AMP RF LDMOS
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
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INFINEON |
23+ |
7000 |
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INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA |
15000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
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Infineon Technologies |
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Infineon Technologies |
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H49248H4 |
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INFINEON/英飛凌 |
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INFINEON/英飛凌 |
H-37248-4 |
22+ |
56000 |
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詢價(jià) |