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PTAB182002TC分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTAB182002TC
廠商型號(hào)

PTAB182002TC

參數(shù)屬性

PTAB182002TC 封裝/外殼為H-37248-4;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
IC AMP RF LDMOS

封裝外殼

H-37248-4

文件大小

179.4 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-12 9:10:00

PTAB182002TC規(guī)格書詳情

PTAB182002TC屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTAB182002TC晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTAB182002TCV2R250XUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益:

    14.8dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    180W

  • 封裝/外殼:

    H-37248-4

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37248-4

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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