PTB20111中文資料ASI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
PTB20111 |
| 功能描述 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| 文件大小 |
39.54 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ASI |
| 中文名稱 | Advanced Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 9:12:00 |
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PTB20111規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The ASI PTB20111 is Designed for General Purpose Class AB Power Amplifier Applications up to 900 MHz.
FEATURES:
? 25 W, 860-900 MHz
? Silicon Nitride Passivated
? Omnigold? Metalization System
產(chǎn)品屬性
- 型號：
PTB20111
- 功能描述：
射頻放大器 RF Bipolar Trans
- RoHS：
否
- 制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
- 類型：
Low Noise Amplifier
- 工作頻率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
- P1dB：
18.5 dBm
- 輸出截獲點(diǎn)：
37.5 dBm
- 功率增益類型：
32 dB
- 噪聲系數(shù)：
0.85 dB
- 工作電源電壓：
5 V
- 電源電流：
125 mA
- 測試頻率：
2.6 GHz
- 最大工作溫度：
+ 85 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
QFN-16
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ERICSSON |
24+ |
TO-62 |
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原廠封裝 |
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13+ |
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原裝分銷 |
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