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PTB20111

85 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor

Description The20111isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor25Vdcoperationfrom860to900MHz.Ratedat85wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallizationareused

EricssonEricsson Microelectronics

愛立信愛立信公司

PTB20111

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIPTB20111isDesignedforGeneralPurposeClassABPowerAmplifierApplicationsupto900MHz. FEATURES: ?25W,860-900MHz ?SiliconNitridePassivated ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PTB20111

  • 功能描述：

    射頻放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型：

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率：

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB：

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點：

    37.5 dBm

  • 功率增益類型：

    32 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    0.85 dB

  • 工作電源電壓：

    5 V

  • 電源電流：

    125 mA

  • 測試頻率：

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-16

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多PTB20111供應商 更新時間2024-12-24 10:30:00

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