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PTB20157中文資料愛立信數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTB20157
廠商型號

PTB20157
功能描述

20 Watts, 1.35-1.85 GHz RF Power Transistor
文件大小

45.5 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產廠商 Ericsson Microelectronics
企業(yè)簡稱

Ericsson【愛立信】

中文名稱

愛立信公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 8:10:00
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PTB20157規(guī)格書詳情

Description

The 20157 is an NPN common base RF power transistor intended for 22–26 Vdc class C operation from 1.35 to 1.85 GHz. Rated at 20 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.

? 20 Watts, 1.35–1.85 GHz

? Class C Characteristics

? 40 Min Collector Efficiency at 20 Watts

? Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

產品屬性

  • 型號：

    PTB20157

  • 功能描述：

    射頻放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型：

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率：

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB：

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點：

    37.5 dBm

  • 功率增益類型：

    32 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    0.85 dB

  • 工作電源電壓：

    5 V

  • 電源電流：

    125 mA

  • 測試頻率：

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-16

  • 封裝：

    Reel

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