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PTB23006U中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTB23006U
廠商型號

PTB23006U

功能描述

Microwave power transistor

文件大小

88.56 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-31 17:34:00

PTB23006U規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT440A hermetically sealed metal ceramic flange package, with base connected to flange.

FEATURES

? Very high power gain

? Diffused emitter ballasting resistors improve ruggedness

? Interdigitated emitter-base structure

? Gold metallization with barrier layer to prevent electromigration and gold diffusion during life

? Multicell geometry improves power sharing and reduces thermal resistance

? Internal input prematching network.

APPLICATIONS

Intended for use in common-base, class C power amplifiers at frequencies up to 2.3 GHz.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PTB23006U

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    Microwave power transistor

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